BS.215649133-高压输入、低噪声、超电源纹波抑制比的低压差线性稳压器- 屹世半导体（上海）有限公司

2022年07月15日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.215649133的集成电路，该集成电路名称为高压输入、低噪声、超电源纹波抑制比的低压差线性稳压器，由屹世半导体（上海）有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.215649133

布图设计申请日：

2021年11月04日

公告日期：

2022年07月15日

公开（公告）号：

55186

布图设计名称：

高压输入、低噪声、超电源纹波抑制比的低压差线性稳压器

布图设计结构：

MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

线性

布图设计权利人：

屹世半导体（上海）有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

屹世半导体（上海）有限公司

布图设计创作完成日：

2021年01月28日

代理人：

-

代理机构：

-

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路666弄1号803室

屹世半导体（上海）有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

拖动滑块完成拼图

Document

拖动滑块完成拼图